Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
2024-33300
Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Croissance de GaN pour l'électronique de puissance H/F
Sujet de stage
Epitaxie GaN sur silicium pour nouvelle génération de transistors de puissance : critique pour les voitures électriques et les énergies renouvelables
Durée du contrat (en mois)
6 mois
Description de l'offre
Contexte : Pour la transition énergétique, il est essentiel de réduire les coûts et d’améliorer les performances des convertisseurs électriques, nécessitant des diodes et des transistors. Le nitrure de gallium est un matériau à large bande interdite permettant une commutation plus efficace, et cette étude optimisera davantage ce matériau, avec une croissance sur des couches de nucléation innovantes.
L’objectif principal du stage est la croissance de nitrure de gallium (GaN) ou de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN) sur des couches de nucléation déjà préparées. Différentes variantes de couches de nucléation seront utilisées, et diverses conditions d’épitaxie seront testées sur ces couches de nucléation.
Ces couches seront ensuite caractérisées avec une variété de techniques afin d’évaluer la qualité de la croissance. Cela comprendra la diffraction des rayons X pour évaluer la qualité cristalline et la densité de dislocations, la microscopie à force atomique pour évaluer la qualité de surface et la microscopie électronique à balayage pour examiner la surface à plus grande échelle. Des techniques supplémentaires telles que la cathodoluminescence et la photoluminescence peuvent être utilisées pour évaluer d’autres propriétés.
Profil du candidat
Niveau bac+5 : école d'ingénieur/master 2
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
Grenoble
Critères candidat
Possibilité de poursuite en thèse
Oui
Demandeur
Disponibilité du poste
01/02/2025
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