Synthesis of superconducting ultra boron doped Si for quantum applications H/F

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

2024-33217  

Description de l'unité

Le Département Plate-Forme Technologique développe et réalise des composants avancés dans ses différentes salles blanches (CMOS, MEMS, intégration 3D, Photonique, caractérisation…), grâce à un parc de plus de 700 équipements 200/300mm, opéré par ses experts technologiques. Le DPFT regroupe ainsi tous les moyens opérationnels (équipements, procédés, méthodes, infrastructures) nécessaires pour assurer les réalisations technologiques innovantes du Leti.
Dans le cadre du développement et de la réalisation de ses composants avancés dans ses différentes salles blanches, le département des plateformes  technologiques (DPFT) doit assurer aux équipes de montage de projet le support à l'élaboration des nouvelles filières ou de nouvelles intégrations technologiques. Cette démarche se base sur la connaissance de l'environnement salle-blanche, de la métrologie, des procédés et de leur assemblage (intégration des procédés).

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Synthesis of superconducting ultra boron doped Si for quantum applications H/F

Sujet de stage

L'informatique quantique promet d'augmenter exponentiellement la capacité de calcul comparé à celle atteignable avec l'informatique classique. Néanmoins, pour que l'ordinateur quantique puisse devenir une réalité, les circuits quantiques doivent montrer un vrai potentiel de miniaturisation et de reproductibilité. Pour répondre à cela, la technologie à base de qubits supraconducteurs est l'option la plus avancée. Notamment, le qubit gatemon est l'une des solutions les plus prometteuses, grâce à sa compatibilité avec la technologie CMOS déjà existante. Un gatemon est une jonction de type Josephson contrôlée par une tension de grille (JoFET). Autrement dit, il s'agit d'un transistor MOS à effet de champ (Metal-Oxide-Semiconductor) avec des Source et Drain (S/D) supraconducteurs. Ses paramètres les plus critiques sont sa température critique de fonctionnement (Tc) et la transparence électrique entre les S/D supraconducteurs et le canal Si, qui permet au courant de passer sans dissipation.

Durée du contrat (en mois)

6 mois

Description de l'offre

Description du stage:

Le Si supraconducteur dopé bore (Si:B) offre une excellent transparence d’interface avec le Si. Malgré cela, les gatemons à base de Si :B ont montré jusqu’à présent une augmentation de la Tc limitée par la perte d’ordre cristallin dans la couche supérieure de Si.

Le stage se propose d’étudier les procédés de fabrication du Si ultra dopé B compatibles avec la plateforme FDSOI 300 mm, pour la réalisation de source et drain supraconducteurs pour gatemon qubits. En particulier, le stage se focalisera sur :

1. L’optimisation du procédé de fabrication du Si :B

  • Impact de la température d’implantation sur la Tc
  • Impact du recuit d’activation sur la Tc et sur l’intégrité du Si :B

2. La caractérisation sur coupons de Si :B

  • Caractérisation morphologique de l’état cristallin du Si après implantation et après recuit, distribution du B dans la matrice Si, effet du B sur le stress du matériau, etc. : XRD, réflectivité in-situ, TEM, AFM, SIMS, Atom Probe Tomography, …
  • Caractérisation électrique des aspects supraconducteurs des différents splits : mesure de résistance R jusqu’aux températures cryogéniques
  • Tous les résultats seront ensuite analysés pour corréler entre eux les comportements physiques et électriques et identifier les leviers pour augmenter davantage la Tc

3. La contribution à la caractérisation d’un JoFET

 

Rejoignez-nous en Stage ! 

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En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

 

 

Profil du candidat

Qu’attendons-nous de vous ?

Vous préparez un diplôme de niveau Master (M2) dans le domaine Physique, Nanoscience et nanotechnologie, Science des matériaux ou Ingénierie électronique.

Vous êtes passionné par la recherche scientifique et technologique et vous faites preuve de capacité à résoudre des problématiques, vous savez vous intégrer dans un contexte de travail en équipe tout en assurant vos taches en autonomie.

Vous possédez des connaissances en microélectronique ainsi qu’en technologies et techniques de caractérisation de la microélectronique.

 

Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles !

 

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :

  • L'opportunité de travailler au sein d'une organisation de renommée mondiale dans le domaine de la recherche scientifique,
  • Un environnement unique dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels,
  • Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
  • Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
  • De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage
  • Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
  • Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
  • Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
  • Un restaurant d'entreprise,
  • Une politique diversité et inclusion,

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l’inclusion des travailleurs handicapés.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Langues

  • Anglais (Intermédiaire)
  • Français (Courant)

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

01/02/2025