Description du poste :

Avec la montée en capacité des réseaux de télécommunications sans fil, largement tirée par les usages et la mobilité, de nouveaux systèmes de communications plus performants, tels que pour la 6G, devront être développés, notamment dans le développement d'amplificateurs de puissance pour les fréquences Sub-THz. Ces fréquences promettent des débits de données ultra-élevés, mais repoussent les limites de la technologie actuelle du silicium. Les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) à base d'InP sur des substrats de silicium de grande taille offrent une solution prometteuse, alliant des performances à haute vitesse à des pertes système minimales. Les semi-conducteurs à base d’antimoine, tels que les GaAsSb-HBT, émergent également comme des matériaux clés pour améliorer davantage la vitesse et l'efficacité des transistors.

Au cours de votre stage, vous acquérez une expertise technique approfondie et travaillez dans un environnement à la pointe de la technologie, incluant une salle blanche de 300/200 mm et des plateformes de nano-caractérisation. Vous collaborez avec des équipes pluridisciplinaires pour affiner votre compréhension des contacts ohmiques et vous plonger dans l'analyse avancée des matériaux. Vos principales tâches comprennent :

1-Traitement et Analyse de Surface : Explorer des solutions à base de procédés humides et plasma pour éliminer les oxydes natifs III-V sans endommager la surface, en utilisant des techniques telles que XPS et AFM.
2-Contrôle de l’Interface et des Alliages : Étudier les transitions de phase pendant le recuit entre le semi-conducteur et le métal à l’aide de la diffraction des rayons X (XRD), de la spectrométrie de masse à temps de vol (Tof-SIMS) et de l'imagerie TEM.
3-Caractérisation Électrique : Mesurer les propriétés de contact électrique en utilisant des structures TLM. Vous participez également activement aux tests électriques sur un prober automatique.

Rejoignez-nous en Stage ! 

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En tant que stagiaire au CEA, vous avez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous avez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

Qu’attendons-nous de vous ?

Vous préparez un diplôme de niveau Bac+5 (Master Recherche/Ecole d'ingénieur) dans le domaine des technologies de la microélectronique et la physique du semi-conducteur.

Vous êtes passionné(e) par la recherche scientifique et technologique et êtes reconnu(e) pour votre curiosité, votre initiative tout en appréciant le travail en groupe.

Vous possédez des connaissances en physique des dispositifs à semiconducteurs, en technologie et en mesure électrique.

Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles !

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :

• L'opportunité de travailler au sein d'une organisation de renommée mondiale dans le domaine de la recherche scientifique,
• Un environnement unique dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels,
• Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
• Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
• De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage,
• Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
• Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
• Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
• Des restaurants d'entreprise,
• Une politique diversité et inclusion.
   

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le
CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!