Stage - Développement Condensateur 3D intégré sur Si basé sur matrice de TSV à Haute Densité H/F

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

2024-33301  

Description du poste

Domaine

Composants et équipements électroniques

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage - Développement Condensateur 3D intégré sur Si basé sur matrice de TSV à Haute Densité H/F

Sujet de stage

Développement Condensateur 3D intégré sur Si basé sur matrice de TSV (Through Silicon Vias) à Haute Densité

Durée du contrat (en mois)

6 mois

Description de l'offre

Rejoignez-nous en Stage !  

En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

Description du sujet

Pour augmenter encore plus la densité de composants, l’industrie microélectronique utilise des circuits intégrés empilés qui exploitent des TSV (Through Silicon Via = vias qui passent à travers l’épaisseur d’une puce électronique).

Ces interconnections ont une capacité la plus basse possible car elles servent à transmettre des signaux le plus rapidement possible entre les puces empilées. D’autre part dans les circuits intégrés on n’utilise pas les condensateurs plats car ils occupent une grande surface.

Ce projet explore l’utilisation d’une matrice de TSV à haute densité comme capacité 3D directement intégrée dans un circuit intégré CMOS sous forme d’un bloc placé à côté du bloc qui l’exploite (transfert de charge rapide et avec les moindres pertes d’énergie).

Travail demandé

Les objectifs de ce stage seront les suivants:

* Caractérisation électrique des capacités TSV dans les réticules déjà disponibles et éventuellement en cours de design.

* Etude du process lié à ces capacités.

* Proposition de design et process adaptés aux capacité sans et avec prise de substrat en fonction des règles de DRM existantes et futures.

* Faisabilité et limites des capacités 3D (compatibles avec la technologie CMOS).

* Etude d’éventuels brevets et/ou industrialisation.

En fonction des attendus de votre école, les sujets pourront être discutés.

CEA Tech Corporate from CEA Tech on Vimeo.

 

Moyens / Méthodes / Logiciels

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Profil du candidat

Ingénieur en électronique, passion pour la recherche technologique, curiosité scientifique, désir d’apprendre, conception de circuits, mesures électroniques.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Langues

Français (Courant)

Formation recommandée

Bac + 5 en électronique

Possibilité de poursuite en thèse

Non

Demandeur

Disponibilité du poste

03/02/2025