Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
2024-33187
Description de l'unité
Vous serez accueilli au sein du laboratoire LSET dans le service du SSURF.
Description du poste
Domaine
Matériaux, physique du solide
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Stage bac+5 - Croissance de couches minces pour les transistors du futur H/F
Sujet de stage
Contexte : À la pointe de la miniaturisation des technologies silicium, le CEA-Leti est un leader dans la fabrication de dispositifs avancés. En particulier, le procédé d'épitaxie, technique de croissance de couches minces, est essentiel pour la production de dispositifs semi-conducteurs performants. Nous recherchons un.e stagiaire motivé.e pour explorer et perfectionner les procédés de croissance par épitaxie de silicium (Si) et de silicium-germanium (SiGe), afin d'améliorer les performances des dispositifs de type transistors FD-SOI (Fully Depleted-Silicon On Insulator).
Durée du contrat (en mois)
6 mois
Description de l'offre
Votre mission sera de :
(i) Explorer les technologies de croissance de couches minces par épitaxie : Vous commencerez par une veille technologique approfondie pour comprendre les dernières avancées dans ce domaine.
(ii) Mettre en place des méthodologies expérimentales : Vous élaborerez des protocoles expérimentaux pour la croissance et l'analyse de divers matériaux semi-conducteurs.
(iii) Travailler en salle blanche : Vous serez formé.e à l'utilisation de notre équipement industriel pour l'épitaxie ainsi qu'aux techniques de caractérisation physico-chimiques (diffraction des rayons X, ellipsométrie, microscopie à force atomique, etc.).
(iv) Collaborer avec des experts : Vous intégrerez une équipe dynamique et travaillerez en étroite collaboration avec les équipes procédés et caractérisation du CEA-Leti.
Moyens / Méthodes / Logiciels
Developpement procédés d'épitaxie, caractérisations (SE, DRX, MEB...)
Profil du candidat
Vous devez être capable de mener des recherches bibliographiques de manière autonome et d’organiser efficacement votre travail. Une solide compréhension des matériaux semi-conducteurs et des techniques de caractérisation est requise. Une connaissance des processus de fabrication en microélectronique est un atout.
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes
Ville
Grenoble
Critères candidat
Langues
Anglais (Intermédiaire)
Diplôme préparé
Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs
Formation recommandée
matériaux, semi-conducteurs, électronique
Possibilité de poursuite en thèse
Oui
Demandeur
Disponibilité du poste
03/02/2025