Stage bac+5 - Croissance de couches minces pour les transistors du futur H/F

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

2024-33187  

Description de l'unité

Vous serez accueilli au sein du laboratoire LSET dans le service du SSURF.

Description du poste

Domaine

Matériaux, physique du solide

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage bac+5 - Croissance de couches minces pour les transistors du futur H/F

Sujet de stage

Contexte : À la pointe de la miniaturisation des technologies silicium, le CEA-Leti est un leader dans la fabrication de dispositifs avancés. En particulier, le procédé d'épitaxie, technique de croissance de couches minces, est essentiel pour la production de dispositifs semi-conducteurs performants. Nous recherchons un.e stagiaire motivé.e pour explorer et perfectionner les procédés de croissance par épitaxie de silicium (Si) et de silicium-germanium (SiGe), afin d'améliorer les performances des dispositifs de type transistors FD-SOI (Fully Depleted-Silicon On Insulator).

Durée du contrat (en mois)

6 mois

Description de l'offre

Votre mission sera de :

(i) Explorer les technologies de croissance de couches minces par épitaxie : Vous commencerez par une veille technologique approfondie pour comprendre les dernières avancées dans ce domaine.
(ii) Mettre en place des méthodologies expérimentales : Vous élaborerez des protocoles expérimentaux pour la croissance et l'analyse de divers matériaux semi-conducteurs.
(iii) Travailler en salle blanche : Vous serez formé.e à l'utilisation de notre équipement industriel pour l'épitaxie ainsi qu'aux techniques de caractérisation physico-chimiques (diffraction des rayons X, ellipsométrie, microscopie à force atomique, etc.).
(iv) Collaborer avec des experts : Vous intégrerez une équipe dynamique et travaillerez en étroite collaboration avec les équipes procédés et caractérisation du CEA-Leti.

Moyens / Méthodes / Logiciels

Developpement procédés d'épitaxie, caractérisations (SE, DRX, MEB...)

Profil du candidat

Vous devez être capable de mener des recherches bibliographiques de manière autonome et d’organiser efficacement votre travail. Une solide compréhension des matériaux semi-conducteurs et des techniques de caractérisation est requise. Une connaissance des processus de fabrication en microélectronique est un atout.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes

Ville

Grenoble

Critères candidat

Langues

Anglais (Intermédiaire)

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Formation recommandée

matériaux, semi-conducteurs, électronique

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

03/02/2025