Développement d'un procédé de retrait de substrat GaSb par gravure plasma. H/F

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

2024-33295  

Description de l'unité

Au sein du Département PlateFormes Technologiques (DPFT), le Laboratoire d'Intégration Technologique pour la Photonique (LITP) mène des activités dans le domaine de la technologie des composants optroniques et récemment des composants de puissance. Ce laboratoire dispose de moyens technologiques spécifiques en salle blanche nécessaires au traitement d'échantillons jusqu'à des substrats de 150 mm de diamètre ; dans le cadre de développements de filières de procédés innovants sur matériaux II-VI et III-V et III-Nitrure, au SiC, pour des dispositifs de très hautes performances dans les domaines de la détection infrarouge, de l'éclairage, des écrans de visualisation, de la photonique intégrée sur Si et de la conversion d'énergie électrique.
Dans le cadre de ses activités dans le domaine de la fabrication de dispositifs à base de semi-conducteurs composés (II-VI, III-V et III-Nitrure), le laboratoire d'Intégration Technologique pour la Photonique (LITP) du Département Plateformes Technologiques (DPFT) du LETI doit développer et renforcer ses filières. Ces activités concernent tous les types de dispositifs optroniques et micro-électroniques. Ces filières adressent entre autres les applications Telecom/Datacom, Lidar, Récepteurs, Display ou composants de puissance et rejoignent des applications systèmes connexes pour des industriels du secteur à des Start-up.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Développement d'un procédé de retrait de substrat GaSb par gravure plasma. H/F

Sujet de stage

Le CEA-Leti, en partenariat avec l'industriel LYNRED, a une importante expérience sur l'imagerie infrarouge refroidie. Depuis 2023, une nouvelle filière à base de matériaux III-Sb est en cours de développement : le stage proposé s'inscrit dans la montée en maturité de cette filière.

Le retrait du substrat du circuit de détection permet d'augmenter les performances et la fiabilité des caméras IR, et ouvre la voie à l'intégration de fonctions optiques au plus proche des pixels. Le retrait est fait en deux temps : l'amincissement du substrat par voie mécanique jusqu'à quelques dizaines de microns, puis le retrait total du substrat qui constitue le sujet de ce stage.

Durée du contrat (en mois)

5-6

Description de l'offre

Vous aurez à effectuer plusieurs actions :

- étude bibliographique de la gravure plasma des matériaux III-Sb.

- formation puis utilisation en autonomie de différents équipements en salle blanche (ex: bâti de gravure RIE-ICP, MEB, profilomètre).

- mise en place et réalisation d'un plan d'expériences pour l'étude de la gravure du matériau GaSb, puis analyse des résultats.

- présentation régulière de l'état d'avancement du stage à l'attention des encadrants.

Profil du candidat

Stage niveau M2.

Fort intérêt pour le travail en salle blanche attendu.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

GRENOBLE

Critères candidat

Langues

Anglais (Courant)

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Demandeur

Disponibilité du poste

03/02/2025