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Information

Alternance – Ingénieur(e) filière pour la fabrication de photodétecteurs H/F

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Détail de l'offre

Informations générales

CEA (logo)

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

2025-35772  

Description du poste

Domaine

Optique et optronique

Contrat

Alternance

Durée du contrat (en mois)

24 mois

Description de l'offre

 

Au sein du Département Optique et Photonique, vous intégrerez le Laboratoire d'Imagerie sur Silicium (LIS) en qualité d'apprenti(e) Ingénieur(e) filière pour la fabrication de photodétecteurs SWIR à base d’InGaAs intégré sur Silicium.

 

Pour répondre aux besoins de systèmes pour des applications aussi variés que le contrôle industriel, l'aide à la conduite automobile ou la sécurité, il est nécessaire d'améliorer les performances des capteurs d'images dans la gamme de longueur d'onde du proche infra-rouge, au-delà de 940nm.

 

En particulier, la réduction du pas pixel à moins de 5μm est une obligation, tout comme la recherche de matériaux et d'architectures de détection permettant d'abaisser le coût des systèmes. Les principales figures de mérite mesurées sont le courant d'obscurité des photodiodes et leur rendement quantique, que l'on cherche en permanence à améliorer.

 

Pour cela, des recherches sont menées au sein du service pour concevoir, fabriquer et caractériser de nouveaux types de photo-détecteurs à base de matériaux III-V.

 

Un enjeu majeur pour la réduction du coût et l’industrialisation future des photodétecteurs est le transfert de leur procédé de fabrication sur une plate-forme technologique qui traite des plaques de silicium (PFSi du LETI) en grand format (200mm et 300mm), et qui soit proche des plate-formes industrielles. Cela nécessite un transfert des couches actives, composées de matériaux III-V, sur des wafers silicium, et une démonstration de performance des composants fabriqués sur cet assemblage hétérogène.

 

Le sujet d'alternance proposé est le suivant :

 

Le suivi des travaux d’intégration filière pour les photodétecteurs dans le proche Infra-rouge (SWIR), à base de couche d’InGaAs/InP reportées sur Silicium.

 

Vos missions seront consacrées aux actions liées à la mise en place de cette filière :

- L'apprentissage de l’outil de construction et de suivi des lots de fabrication sur la PFSi (Logiciel Eyelit)

- La définition des process flows et des variantes de procédés à mettre en place, formation et utilisation des outils de caractérisation in-line des wafers (Ellipsométrie, profilométrie, microscopie optique et électronique…)

- L'analyse et résolution des problèmes d’intégration rencontrés

- La discussion et mise en place de solutions avec les experts procédés de la PFSi, synthèse et présentation des résultats. Des actions liées à la définition des masques de photolithographie pourront également être à gérer, en fonction de l’avancement du projet.

 

De même, un lien pourra être nécessaire avec les responsables des caractérisations électro-optiques des composants, pour faire le lien entre les étapes de fabrication et leur impact sur le fonctionnement des photodétecteurs étudiés.

 

L'alternant(e) évoluera au sein de l'équipe de suivi filière du laboratoire et pourra, en fonction de ses besoins, trouver l'aide nécessaire et les compétences pour mener à bien ses travaux.

 

Profil du candidat

 

Qu’attendons-nous de vous ?

 

A la rentrée 2025, vous serez étudiant en Master en école d’ingénieur ou université, dans le domaine de la Physique ou de l’Optique.

 

Vous évoluerez dans un laboratoire applicatif, en lien avec la fabrication de photodétecteurs sur semi-conducteurs inorganiques.

Des connaissances en physique des composants à base de semi-conducteurs, en procédés de fabrication en salle-blanche (dépôts, gravure, traitements chimiques et thermiques), en matériaux et en méthodes de caractérisation des matériaux seront un plus pour mener à bien ses travaux.

Enfin le candidat devra montrer de la rigueur, de la curiosité, de l'autonomie et de l'organisation afin de s’épanouir dans ce sujet.

 

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :

 

  • Un cadre de recherche unique, dédié à des projets ambitieux au service des grands enjeux sociétaux,
  • Un environnement de travail high-tech et des équipements de recherche à la pointe de l’innovation,
  • Un campus au cœur de la métropole, facilement accessible en mobilité douce
  • Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
  • Une participation aux frais de restauration, de transport et de logement (sous conditions),
  • Des encadrants bienveillants, passionnés et ayant l’envie de transmettre,
  • Une politique diversité et inclusion

 

Conformément aux engagements du CEA en faveur de l'inclusion des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA met en place des aménagements et possibilités d’organisation pour assurer l’inclusion des travailleurs handicapés.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Langues

Anglais (Courant)

Diplôme préparé

Bac+4 - Master 1

Demandeur

Disponibilité du poste

01/09/2025


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