Notre laboratoire travaille en collaboration avec le laboratoire d’épitaxie du LETI (LMP), où des nanopyramides InGaN riche en Indium, d’excellente qualité structurale, ont été réalisées par croissance localisée sur graphène, permettant d’obtenir des puits quantiques InGaN avec des concentrations d’Indium pouvant atteindre 40% et donc adresser l’émission rouge recherchée dans les applications AR/VR. Par ailleurs, en contrôlant la taille des pyramides, l’émission peut varier du bleu au rouge, ouvrant des possibilités de réalisation de matrices de pixels RGB à émission native. Le but de ce stage sera d’étudier les propriétés optiques de ces puits quantiques InGaN sur pyramides InGaN de différentes compositions. La microscopie de photoluminescence (PL) permettra d’étudier la distribution en longueur d’onde, et la PL (micro et macro) intégrée et résolue en temps, à température ambiante et basse température, permettra de comparer les propriétés de recombinaison des porteurs dans des puits quantiques InGaN/InGaN riches Indium de bonne qualité et de comparer la physique dans ces émetteurs à celle mieux connue dans les puits verts et bleus des LEDs InGaN/GaN. Des études de cathodo-luminescence (CL) permettront d’ajouter des informations à plus haute résolution spatiale sur ces propriétés d’émission. Enfin, nous essaierons d’étudier la directivité d’émission de ces micro-LED pyramidales.

Le stage proposé consistera à étudier les propriétés optiques et spectroscopiques de structures semi-conductrices à base d’InGaN, ce qui demandera des connaissances solides en physique des semi-conducteurs et des dispositifs optoélectroniques comme les LEDs. Un stagiaire de M2 sera privilégié. Des connaissances en programmation Python seront aussi souhaitables pour l’analyse des données. Enfin, une bonne maitrise de l’anglais est indispensable.

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