Stage - Sélecteur MOSFET à canal MoS2 pour mémoires Ferroélectriques

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

2024-33379  

Description de l'unité

CEA, Leti, Minatec Campus
Département Composants Silicium (DCOS)
Laboratoire des dispositifs avancés pour la mémoire et le calcul.

Le Département Composants Silicium (DCOS) et l'un des 5 départements du CEA-Leti et a pour mission de conduire les recherches dans le domaine des composants électroniques aux échelles micro- et nanométriques. Ces activités incluent des développements de composants et circuits innovants dans les domaines du CMOS avancé et des mémoires non volatiles, mis en œuvre dans des architectures de calcul en rupture (calcul quantique, architectures neuromorphiques et Intelligence Artificielle embarquée), des applications de puissance, des technologies pour les applications Radiofréquences (RF), des micro- et Nano-systèmes (capteurs et actionneurs) et du stockage d'énergie. Ces travaux sont enrichis de développements de substrats avancés, spécifiques aux différents domaines d'applications visés, d'une large expertise de l'intégrations en 3D des composants développés ainsi que des moyens nécessaires à la caractérisation des performances des composants développés.
Pour ces réalisations technologiques, le DCOS s'appuie sur la plateforme technologique du CEA-Leti lui permettant de démontrer la réalité de ses développements dans un environnement de salle blanche proche des standards de l'industrie et facilitant ainsi l'adoption de ses développements par des partenaires industriels.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage - Sélecteur MOSFET à canal MoS2 pour mémoires Ferroélectriques

Sujet de stage

Nous proposons d'étudier les transistors MOSFET à base de matériaux 2D (MoS2) comme sélecteur pour les mémoires ferroélectriques.

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

Rejoignez le CEA-LETI pour une expérience passionnante en travaillant sur des matériaux innovants (dichalcogénures de métaux de transition) et des dispositifs mémoires ferroélectriques très prometteurs (FeRAM). Ce stage offre l'opportunité de participer à un projet ambitieux, avec la possibilité d’une poursuite en thèse. Si vous êtes curieux, innovant et prêt à relever des défis, venez nous rejoindre !

L'émergence de l'intelligence artificielle, de l'apprentissage machine et de l'Internet des objets a créé un besoin croissant de mémoires de stockage non volatiles pouvant fonctionner à des vitesses élevées. Aujourd'hui, la technologie mémoire ferroélectrique non volatile, constituée d'un condensateur Métal/Ferroélectrique/Métal (FeCAP) connecté au drain d'un transistor de sélection, est très prometteuse. Elle offre une grande endurance, de faibles tensions d'écriture et une bonne rétention. L'avenir des mémoires ferroélectriques 1T1C nécessite néanmoins des innovations à travers des dispositifs de sélection possédant des très faibles courants à l’état Off. Ici, nous proposons d'étudier les transistors MOSFET à base de MoS2 comme sélecteurs. Ce matériau 2D innovant a suscité un intérêt considérable ces dernières années pour les dispositifs mémoire intégrée. Au cours de ce stage, nous proposons d'exploiter leur très faible épaisseur, leur large Band-Gap et leur grand rapport Ion/Ioff, afin d'ouvrir la voie vers des matrices mémoires 1T1C toujours plus denses et à faible consommation énergétique.

Tout au long de ce stage, vous pouvez acquérir une large gamme de connaissances couvrant les procédés microélectroniques, la fabrication et la caractérisation de transistors MOSFET, tout en répondant aux exigences d'intégration de ce sélecteur à base de MoS2 dans le BEOL.

Vous collaborez avec des équipes pluridisciplinaires pour développer une compréhension approfondie des matériaux 2D et des dispositifs mémoire ferroélectrique. Vous intégrez un laboratoire travaillant sur les dispositifs mémoire, au côté d'une équipe de plusieurs chercheurs permanents (matériaux, intégration, caractérisation électrique et simulation) pour vous soutenir dans ce projet de recherche.

 

Rejoignez-nous en Stage !

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En tant que stagiaire au CEA, vous avez l'opportunité de travailler au sein d'un
environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées
d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la
collaboration. Vous avez accès à des équipements de pointe et à des ressources de
recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

 

Moyens / Méthodes / Logiciels

Fabrication, simulation, and electrical characterization tools

Profil du candidat

Parcours en microélectronique et une passion pour la recherche technologique, vous êtes curieux, désireux d'apprendre et possédez de solides compétences pour travailler en équipe.

Vous avez un vif intérêt pour le développement technologique combinant des matériaux innovants et des dispositifs émergents, en particulier dans le contexte des mémoires ferroélectriques pour l’intelligence artificielle économe en énergie

 

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :

  • Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
  • Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
  • De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage,
  • Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
  • Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
  • Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
  • Un restaurant d'entreprise,
  • Une politique diversité et inclusion.

 

Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles !


Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l’inclusion des travailleurs
handicapés.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

  Grenoble

Critères candidat

Langues

  • Français (Courant)
  • Anglais (Courant)

Diplôme préparé

Bac+5 - Master 2

Formation recommandée

Physique, physique des semiconducteurs, micro-nano-technologies

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

10/03/2025