Les composants de puissance verticaux en GaN sont très prometteurs pour les applications de puissance au-delà de la gamme kV et sont largement étudiés. L’épitaxie localisée du GaN permet la création de structures épaisses sur des substrats en silicium à un coût compétitif, avec un succès démontré dans les diodes et les transistors pseudo-verticaux. Cependant, la surface importante occupée par cette approche limite la densité énergétique des dispositifs. Ce stage vise à développer des composants entièrement verticaux plus denses en utilisant des méthodes de transfert de couches. Vous étudiez les caractéristiques électriques de ces composants pour observer l’impact des variations technologiques sur leurs performances.
Tout au long de ce stage, vous acquérez des connaissances approfondies sur les processus de microélectronique, la caractérisation électrique et la simulation TCAD (Conception Assistée par Ordinateur en Technologie). Vous collaborez avec une équipe multidisciplinaire et approfondissez votre compréhension des dispositifs de puissance GaN, tout en faisant partie d’un laboratoire dédié au développement des dispositifs de puissance à large bande interdite.

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons

• Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
• Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
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• Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
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En tant que stagiaire au CEA, vous avez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous avez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

Avec une solide formation de niveau master 2 en dispositifs microélectroniques et une passion pour la recherche technologique, vous êtes curieux, avide d’apprendre et possédez d’excellentes compétences en communication. Vous vous intéressez particulièrement aux méthodologies qui combinent la physique des dispositifs et la caractérisation électrique des nouvelles architectures de dispositifs pour l’électronique de puissance.

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Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l’inclusion des travailleurs
handicapés.