Un substrat de haute résistivité est indispensable pour la conception de circuits haute fréquence performants. Le substrat silicium sur isolant (SOI) de haute résistivité, doté d'une couche riche en pièges sous l'oxyde enterré (BOX), est actuellement l'option la plus performante pour les technologies CMOS. Cependant, ces substrats présentent deux limitations majeures : (1) leur prix relativement élevé et (2) la dégradation de leurs performances RF à des températures de fonctionnement supérieures à 100 °C.

Dans le cadre de ce postdoctorat, nous proposons une approche disruptive basée sur l'utilisation de substrats résistifs et/ou riches en pièges sur toute leur épaisseur (plusieurs centaines de µm). Le piégeage des charges mobiles sur l'ensemble du substrat devrait assurer des performances RF stables, même à des températures de fonctionnement élevées. Dans ce contexte, les substrats polycristallins résistifs sont particulièrement prometteurs, car ils présentent une forte densité de pièges grâce à la présence de joints de grains. De plus, ce projet sera mené en collaboration avec le groupe RF SOI de l'Université catholique de Louvain (UCLouvain), reconnu internationalement pour son expertise en modélisation et mesure des performances électriques haute fréquence des substrats et dispositifs RF.

Vous participerez aux recherches suivantes :

(1) Screening des substrats polycristallins prometteurs à partir de simulations TCAD.

(2) Définition de la stratégie d'intégration de ces matériaux polycristallins dans des substrats SOI à l'aide d'un « Manufacturing Execution System ».

(3) Suivi de l'avancement du procédé dans les salles blanches du LETI en collaboration avec les équipes opérationnelles.

(4) Analyse des propriétés morphologiques des substrats SOI fabriqués grâce aux techniques de caractérisation matériaux disponibles au LETI.

(5) Mesure des performances RF en fréquence et en température à l'UCLouvain. Une attention particulière sera portée à la compréhension des phénomènes physiques en jeu par la comparaison des données expérimentales et de simulation.

Le tout dans un environnement transverse, multi-laboratoires, multiculturel, en interaction avec des ingénieurs, techniciens, et experts.

Vous devez être titulaire d'un doctorat en science des matériaux, en nanosciences ou en génie électrique. De plus, vous devez posséder une solide expérience dans certains des domaines suivants : physique du solide, procédés de la microélectronique, comportement fréquentiel des dispositifs semi-conducteurs, mesure haute fréquence, et simulations TCAD.

La maîtrise du français est également recommandée.

Vous possédez une bonne capacité d'analyse pour résoudre des problèmes complexes, et vous savez faire preuve de curiosité et de proactivité. Enfin, vous possédez également d'excellentes compétences relationnelles afin d’assurer des interactions fréquentes avec les équipes opérationnelles et les experts.

Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons :

• Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
• Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
• Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
• Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
• Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
• Une politique diversité et inclusion,
• Des restaurants d'entreprise,
• Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
• Une épargne abondée par le CEA.

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!