Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
2024-33364
Description du poste
Domaine
Matériaux, physique du solide
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Dopage des matériaux chalcogénures pour l'électronique frugale H/F
Sujet de stage
Les phases rhomboédriques des alliages de chalcogénures GeTe et Sb2Te3 sont les références actuelles pour les applications en spinorbitronique grâce au fort couplage spin-orbite et à leur grand pouvoir d'interconversion spin-charge à température ambiante. L'exploitation de la ferroélectricité du GeTe et les propriétés d'interconversion spin-charge du Sb2Te3 2D ont démontré leurs potentiels pour un usage pour les concepts FESO et SOT-MRAM.
Durée du contrat (en mois)
6
Description de l'offre
L’objectif du stage est d’étudier l’impact de l’introduction de dopants comme le Bi et le Sb sur les propriétés de transport électronique des films minces obtenus par épitaxie van der Waals en pulvérisation cathodique industrielle. Ceci sera réalisé par des mesures de la densité de porteurs électroniques par effet Hall. En parallèle de ces mesures, la caractérisation des propriétés ferroélectriques des films de GeTe dopés Bi et Sb sera réalisée par PFM sur la Plate-Forme de Nano-Caractérisation du LETI (PFNC) afin de corréler la modification de la conductivité des films par dopage Bi ou Sb aves les valeurs de champ coercitif de renversement des domaines ferroélectriques mesurés par PFM (Piezoresponse Force Microscopy). Ce sujet soutiendra les filières mémoires et spin-orbitronique en proposant des matériaux innovants compatible CMOS et back-end afin de révolutionner l'électronique en proposant de nouveaux composants à consommation énergétique ultra faible.
Moyens / Méthodes / Logiciels
Banc mesure effet Hall, dépôt de couches minces, PFM, ...
Profil du candidat
Ingénieur ou étudiant en M2 en filières Matériaux, Microélectronique et/ou Physique du solide
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
GRENOBLE
Critères candidat
Langues
- Français (Bilingue)
- Anglais (Courant)
Diplôme préparé
Bac+5 - Master 2
Formation recommandée
MASTER 2 ou ingénieur fin d'étude
Possibilité de poursuite en thèse
Oui
Demandeur
Disponibilité du poste
01/01/2025
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