General information
Organisation
The French Alternative Energies and Atomic Energy Commission (CEA) is a key player in research, development and innovation in four main areas :
• defence and security,
• nuclear energy (fission and fusion),
• technological research for industry,
• fundamental research in the physical sciences and life sciences.
Drawing on its widely acknowledged expertise, and thanks to its 16000 technicians, engineers, researchers and staff, the CEA actively participates in collaborative projects with a large number of academic and industrial partners.
The CEA is established in ten centers spread throughout France
Reference
2025-35552
Position description
Category
Micro and nano technologies
Contract
Postdoc
Job title
Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de puissance
Subject
Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de puissance H/F
Contract duration (months)
24
Job description
Rejoignez le CEA-Leti et participez aux développements des technologies d'avenir qui transformeront les systèmes d’électronique de puissance de demain. Collaborez avec des équipes pluridisciplinaires, de l'ingénierie des matériaux à la simulation des dispositifs, en passant par la fabrication et la caractérisation physique, jusqu'au développement complet des systèmes de puissance.
Ce projet porte sur l’étude de la viabilité des technologies de composant de puissance émergeantes à base de diamant et de GaN. Vous aurez pour tâche ambitieuse d’évaluer dans quelle mesure ces nouvelles technologies peuvent apporter des améliorations de performance en comparaison des solutions existantes en Si ou SiC, sur une ou plusieurs applications spécifiques.
En particulier ce projet a pour objectifs :
- D’identifier une ou plusieurs applications sur lesquelles les technologies GaN vertical et diamant sont susceptibles d’apporter des gains significatifs, en considérant le marché actuel et/ou projeté de ces applications.
- De comparer au moyen de simulation TCAD et SPICE, ainsi que de mesures expérimentales de dispositifs de test, les performances estimées de composants Diamant et GaN industrialisables, dimensionnés pour ces applications, en comparaison du SiC et Si.
- De proposer une roadmap pour le développement de ces technologies.
Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons :
- Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
- Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
- Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
- Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
- Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
- Une politique diversité et inclusion,
- Des restaurants d'entreprise,
- Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
- Une épargne abondée par le CEA.
Methods / Means
TCAD Sentaurus, SPICE, electrical characterization
Applicant Profile
Vous devez avoir obtenu un PhD dans le domaine des semiconducteurs. Une formation ou expérience dans le domaine de la physique des semiconducteurs grand gaps et/ou dans l’électronique de puissance est demandée. Également, une expérience avec un logiciel de simulations TCAD ainsi que dans la caractérisation électrique de composants est souhaitée.
Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!
Position location
Site
Grenoble
Job location
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Location
Grenoble
Candidate criteria
Prepared diploma
Bac+8 - Doctorat scientifique
Recommended training
PhD dans le domaine des semiconducteurs
PhD opportunity
Non
Requester
Position start date
02/06/2025