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Information

Ingénieur d'intégration procédés de fabrication de composants de puissance GaN et SiC H/F

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Détail de l'offre

Informations générales

CEA (logo)

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

2026-41222  

Description de la Direction

Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d'intégration système, et d'architecture de circuits intégrés, à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée. Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique.

Description de l'unité

Le laboratoire LAPS est spécialisé dans le développement de composants de puissance en matériau semi-conducteur à large bande interdite, parmi lesquels le nitrure de gallium GaN et le carbure de silicium SiC. Ces composants ont des applications en électronique de puissance car ils peuvent être utilisés à plus haute température et à plus forte puissance que les composants à base de silicium. Le leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ce type de composants. Nos équipes supportent des acteurs majeurs du domaine avec la mise en place de lignes pilote de fabrication de composants GaN chez STMicroelectronics et de fabrication de substrats SiC chez SOITEC.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

CDD

Intitulé de l'offre

Ingénieur d'intégration procédés de fabrication de composants de puissance GaN et SiC H/F

Statut du poste

Cadre

Durée du contrat (en mois)

de 18 à 36 mois

Description de l'offre

Au sein d'une équipe d'une vingtaine d’ingénieurs-chercheurs pluridisciplinaires et en relation avec des partenaires industriels et académiques de premier rang, vous êtes en charge d’une filière de fabrication de nouveaux composants de puissance à semi-conducteur à large bande interdite. Plus particulièrement, vous contribuez au développement de nouvelles générations de transistors de puissance à base de GaN sur silicium ou sur d’autres substrats alternatifs.

Vous assurez :

  • Le suivi des lots tout au long de leur fabrication en salle blanche et en lien avec les chefs de projet et les responsables intégration => définition de l’enchaînement des étapes de fabrication et sélection des variantes technologiques, contrôle et analyse de la conformité des étapes au cours de la fabrication ; rédaction du rapport de fin de fabrication du lot,
  • Le support au montage des nouveaux flows d’intégration, en lien avec les responsables intégration et les pilotes engineering de la plateforme de fabrication =>  contribution à l’établissement du cahier des charges de la filière, à la définition du descriptif des masques et de l’enchaînement des étapes technologiques, à la définition des actions de développement des procédés et modules technologiques.
     

Vous avez encore un doute ?

Nous vous proposons :

  • Un écosystème de recherche à la pointe, unique en son genre et dédié à des thématiques à fort enjeu sociétal,
  • Une expérience sur une thématique à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
  • Des activités porteuses dans un contexte économique favorable,
  • Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
  • Des formations pour développer ou renforcer vos compétences,
  • Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
  • L’accès à une épargne abondée par le CEA,
  • Une rémunération selon vos diplômes et votre expérience,
  • Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
  • Une politique diversité et inclusion.

Nous avons hâte de vous accueillir dans notre équipe !

 

#Nanotechnology

Profil du candidat

De formation supérieure bac+5 dans le domaine de la micro-électronique avec une bonne connaissance des technologies de fabrication salle blanche.

Votre anglais est courant.

Une première expérience dans une mission de recherche et développement sera appréciée.

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

17 avenue des martyrs 38000 Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

BAC + 5/8 en microélectronique

Demandeur

Disponibilité du poste

01/09/2026


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